北京
国家知识产权局信息显示，强茂电子（无锡）有限公司取得一项名为“具有高散热性能DFN封装结构”的专利，授权公告号CN224638437U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种具有高散热性能DFN封装结构，包括矩阵式金属框架和设置在矩阵式金属框架背部的矩阵式铜跳线框架，矩阵式金属框架包括若干个呈矩阵式排列的芯片封装单元，芯片封装单元的周侧设置有两条Y方向长连接筋和两条X方向长连接筋，Y方向长连接筋和两条X方向长连接筋相互连通，矩阵式金属框架的背部设置有散热片；所述矩阵式铜跳线框架包括若干个呈矩阵式排列的铜跳线单元，铜跳线单元上设置有第一铜跳线。本实用新型通过在芯片下方金属基板及上方的顶部金属板使得芯片的上表面产生的热量由顶部散热片传递至外界，芯片的下表面产生的热量由金属基板传递至外界，实现芯片的双面散热，提高了散热效率。
天眼查资料显示，强茂电子（无锡）有限公司，成立于1999年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2720万美元。通过天眼查大数据分析，强茂电子（无锡）有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目14次，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可57个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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