陕西
半导体制造工艺对生产介质洁净度有着严苛的管控标准，超纯水、光刻胶作为制程核心流体介质，其内部微纳米颗粒杂质会直接影响芯片良率与制程稳定性。液体颗粒计数器作为微纳米级液体杂质检测的核心设备，可精准捕捉流体中微小颗粒的数量、粒径分布等关键数据，是半导体制程洁净度管控的核心设备。搭载第八代双激光技术与PMT-2系列检测模块的液体颗粒计数器，贴合SEMI行业标准设计，适配半导体超纯水、光刻胶等特殊介质的检测需求，可满足半导体全流程流体洁净度监测的常态化使用需求。
液体检测意义
半导体制造的抛光、涂胶、清洗、蚀刻等核心工序，均依赖超纯水与光刻胶的洁净状态。流体介质中存在的0.03μm及以上微纳米颗粒，会在芯片晶圆表面形成针孔、划痕、杂质附着等缺陷，造成电路断路、短路等问题，制约芯片生产质量。随着半导体制程工艺不断迭代，制程节点持续缩小，行业对流体介质的颗粒管控粒径下限不断下探，常规检测设备已无法适配微小颗粒的识别与统计需求。
标准化液体颗粒检测能够实时监控介质污染状态，及时发现制程流体中的杂质异常，为生产工艺调整、介质过滤系统运维、原料品质筛查提供数据支撑。同时，遵循SEMI标准开展检测工作，可统一半导体行业流体洁净度的检测口径与评判依据，让企业生产数据具备行业通用性，适配上下游供应链的质量对接要求，保障半导体生产线的稳定运转。
双激光原理
第八代双激光窄光检测技术是适配微纳米液体颗粒检测的核心技术，区别于传统单激光检测结构的设计缺陷，该技术采用双波长窄带激光交叉正交照射结构，在检测流通池中心形成极小的微米级重叠敏感检测区域。传统单激光设备的检测区域范围较宽，容易出现颗粒重叠计数、气泡与固体颗粒信号混淆的问题，微弱的颗粒信号容易被环境噪声覆盖，无法识别超微小颗粒。
第八代双激光系统通过两路独立激光光源同步工作，仅当固体颗粒同时遮挡两路激光光束时，设备才会判定为有效颗粒信号，流体中的气泡、液滴干扰信号会被自动过滤，大幅降低检测误差。该技术融合光阻法与光散射法双重检测逻辑，可覆盖0.03-3000μm宽粒径范围的颗粒检测，适配超纯水低杂质、光刻胶高粘度的不同介质特性，检测重复性误差控制在行业低位，契合半导体精密检测的基础要求。
PMT-2性能参数表
PMT-2系列检测模块是专为半导体流体检测定制的核心传感组件，依托光电倍增传感架构搭建多通道检测矩阵，可实现多粒径颗粒同步采样、分类统计，适配SEMI标准规定的粒径分段检测要求。该模块优化了光电信号采集与转换程序，对微纳米颗粒产生的微弱光信号具备高灵敏度捕捉能力，可精准区分不同粒径颗粒的信号差异。
PMT-2系列模块搭载智能数据校准算法，可根据介质温度、粘度变化自动修正检测数据，规避环境因素对检测结果的干扰。多通道矩阵式检测结构，能够同步完成颗粒数量、粒径分布、浓度密度的数据采集，生成符合SEMI标准的检测报告，无需二次数据换算，大幅提升检测效率。
应用场景
在半导体超纯水应用场景中，该设备主要用于晶圆清洗、芯片蚀刻、精密器件冷却等工序的超纯水洁净度监测。半导体超纯水要求杂质颗粒含量极低，微小颗粒残留会直接造成晶圆表面污染。搭载第八代双激光与PMT-2模块的检测设备，可精准捕捉超纯水中0.03μm级别的微量颗粒，实时监测纯水过滤系统的运行状态，保障清洗制程的介质洁净度达标。
在光刻胶应用场景中，设备适配不同粘度、不同类型的半导体光刻胶介质检测。光刻胶是芯片图形转移的核心材料，内部颗粒杂质会导致光刻图形失真、边缘缺陷，影响芯片电路精度。该设备可适配光刻胶粘稠介质的检测特性，规避高粘度流体流动不均带来的检测误差，精准统计光刻胶内部杂质颗粒数据，为光刻胶原料验收、制程在线监测、成品品质筛查提供数据支撑。
除此之外，设备还可拓展应用于半导体研磨液、清洗剂、特种工艺流体等介质的颗粒检测，全程遵循SEMI半导体流体洁净度管控标准，适配半导体芯片制造、封装、测试等全产业链的流体检测需求。
依托第八代双激光检测技术与PMT-2系列模块的核心配置，这款微纳米半导体液体颗粒计数器，精准适配半导体行业特殊介质的检测痛点。贴合行业标准的设计、宽范围的检测适配性、稳定的检测表现，使其能够适配半导体制程精细化管控的发展趋势，为半导体流体介质洁净度管控提供可靠的设备支撑。
油液颗粒计数器
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