北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“形成导电结构的方法、半导体结构、半导体器件及存储系统”的专利，公开号CN122579942A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开提供一种形成导电结构的方法、半导体结构、半导体器件及存储系统，涉及半导体技术领域。该方法包括：在半导体结构的深度方向为第一方向的沟槽中形成第一初始导电结构，并在半导体结构的第一方向上形成与第一初始导电结构至少部分接触的第二初始导电结构，第二初始导电结构的应力高于第一初始导电结构的应力，然后对第一初始导电结构和第二初始导电结构进行退火处理，以形成沟槽中的导电结构。采用该方法可增大形成的导电结构的晶粒尺寸，从而提高了存储器产品的电导率和可靠性。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1468次，财产线索方面有商标信息1027条，专利信息6200条，此外企业还拥有行政许可1009个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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