北京
据韩媒《首尔经济日报》报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地二号工厂的建设，当地闪存总产能将扩容约50%。新产线计划今年年底前引入半导体生产设备，明年上半年正式投产。
二号工厂四年前动工，受存储行业下行周期影响长期停工。新产线月投片量约5万片晶圆，叠加大连一号工厂现有10万片的月产能，基地整体产能提升约五成。据韩媒消息，SK海力士计划最早于11月启动设备进场，明年上半年搭建完整量产体系并投产。
大连工厂的前身是英特尔在华唯一的晶圆厂。2020年，SK海力士宣布以90亿美元收购英特尔的NAND闪存业务，2021年底先支付70亿美元接手大连工厂的资产与运营权，剩余约20亿美元及相关知识产权转让直至2025年3月才结清。收购资产随后被独立为子公司Solidigm。2022年5月，SK海力士启动二号工厂土建，但此后存储市场陷入低迷，叠加美国出台对华芯片设备出口限制，项目仅完成主体框架便长期停滞。
大连二厂将承接成熟工艺低层数闪存。
300层及以上高端NAND则集中于韩国清州M17等本土工厂。据韩媒报道，SK海力士同步向清州M17投入19.1万亿韩元（约138亿美元），形成成熟制程在中国、先进制程在韩国的产能布局。AI数据中心扩张带动企业级固态硬盘需求走高，SK海力士借此扩大NAND供应能力。大连二厂扩产直接带来设备与材料采购需求，国内半导体设备、材料厂商有望获得新增订单，存储产业链配套环节的国产化进程或随之加快。
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本文源自：市场资讯
作者：听潮
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