上海
据中新经纬援引韩媒8月11日报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储器行业低迷影响，工程长期处于停滞状态。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。
SK海力士于2021年通过收购英特尔的NAND业务成立了Solidigm（思得），并接手了大连1号工厂及相关厂区，于次年5月启动了2号工厂的建设。据悉，新生产线的晶圆投片量约为每月5万片。如果加上大连1号工厂现有的每月10万片产能，大连当地总产能将增加约50%。
SK海力士重启大连二厂的消息进一步验证了半导体产业高景气。有分析认为，存储产业链配套企业有望显著受益，尤其是相关设备、材料标的，将迎来订单增长预期，长期进一步利好国内存储产业配套环节，国产化进程有望加速。
AI驱动下全球半导体设备支出持续攀升，国产设备也迎来历史性破局窗口。招商证券分析认为，外部技术限制叠加供应链自主可控诉求，正推动国内晶圆厂加快本土设备导入节奏；当前国产设备厂商已从单点技术突破迈向平台化扩张阶段，在品类拓展、客户认证和系统集成能力上全面提速，半导体设备作为产业链中国产替代最清晰、战略属性最强的环节之一，正处于结构性成长拐点。
SK海力士本月早些时候敲定了新一轮产能扩张落地计划。根据公告，公司董事会已批准合计约54.3万亿韩元的本土投资方案，其中35.2万亿韩元用于龙仁半导体产业园二期晶圆厂（Y2）建设，投资周期至2031年；19.1万亿韩元投向清州M17芯片厂，投资周期至2031年，两项投资均属于今年6月公司公布的中长期投资战略的组成部分。
按照整体规划，SK海力士计划在龙仁半导体集群累计投入600万亿韩元，在清州生产基地累计投入100万亿韩元，目前龙仁一期晶圆厂Y1仍在建设过程中。公司表示，在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势，能否在客户所需时间点交付足量产品才是核心竞争力，此次投资是基于对市场需求的充分评估作出的决策，目的是确保中长期产能能够匹配存储器市场的增长节奏。
为支撑庞大的扩产计划，SK海力士于7月10日在美国纳斯达克成功上市，通过发行美国存托股份募资265亿美元，成为外国企业在美国规模最大的首次公开募股。募集资金将主要用于建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州先进封装厂以及购买极紫外光刻设备等。
有消息称，依托大连二厂落地，SK海力士敲定NAND闪存产销双轨布局：大连工厂量产成熟工艺低层数闪存，韩国清州厂区负责先进高堆叠闪存制造。大连产线将主打英特尔成熟浮栅（FG）架构百层级NAND，最大化成熟制程产能；300层及以上超高堆叠高端NAND，则全部放在韩国本土清州M17等工厂生产。
得益于全球存储芯片行业的普涨行情，SK海力士业绩大涨。公司最新财报披露，上半年累计营收首次突破100万亿韩元。与去年同期相比，营收和营业利润分别增长257%和557%。公司预测，存储器需求增长趋势有望持续。基于上述需求前景，SK海力士正与客户推进多年期合约，以保障中长期供应稳定。目前公司已与包括核心客户在内的十余家客户结束讨论长期供应协议，并正与业内主要客户进一步展开洽谈。
SK海力士也在大手笔回馈股东，8月7日其在韩国交易所披露， 将向普通股股东派发每股分红375韩元（约人民币1.8元），市价分红率0.02%，总金额为2733.25亿韩元（约人民币13亿元），分红基准日为8月31日，分红计划在基准日起一个月内支付。SK海力士称，正积极研究旨在提升股东价值的额外股东回报措施，具体细节计划于第三季度敲定并公布。
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