越来越多的DRAM制造商开始转向定制HBM,开始将该类产品视为下一个重要的营收增长引擎。作为三大原厂之一,美光自然也有这方面的打算。AMD和英伟达计划在未来的AI加速器中采用定制HBM,以提升性能,降低延迟,随后博通和联发科等厂商也会跟进。
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据TrendForce报道,近日美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana在出席公开活动时表示,美光向定制HBM转变将从HBM4E时代开始,计划与客户合作开发定制产品。
更值得注意的是,考虑到定制HBM设计和认证涉及大量时间、研发和成本,Sumit Sadana认为客户不太可能在每个项目中同时与三家HBM供应商合作,这或将推动市场向双供应商甚至单一供应商模式发展,整个HBM供应格局可能面临重大变化。
过去HBM的基础裸片(Base Die)都是使用DRAM工艺制造,但是从HBM4时代开始将转移到代工厂,改用逻辑芯片的工艺,以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。预计首批定制HBM是基于HBM4的设计,三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片,而SK海力士则选择与台积电(TSMC)合作。
不过与三星和SK海力士的情况不同,美光出于成本方面的考虑,HBM4仍然采用与DRAM一样的内部CMOS工艺生产基础裸片,直到HBM4E才转换到台积电。从这点来看,美光在定制HBM方面的进度可能会落后一些。
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