北京
IT时代网8月12日消息，据公开报道，美国《硬件技术管制多边协调法案》（MATCH Act）在修订过程中，悄悄删掉了一项针对中国市场的低温刻蚀设备全国性禁令。这类设备由美国与日本企业主导供应，是 3D NAND 闪存和先进 DRAM 制造里的关键工序，外界普遍把这看作设备巨头游说下的妥协。
面对变化，长鑫存储等国内半导体企业显得很淡定，对外口径是实际冲击有限。这份底气来自实打实的市场数据：Omdia 统计显示，长鑫存储的全球 DRAM 市场份额已从 2025 年四季度的 4.7% 升到 2026 年一季度的 7.6%，挤进全球第四，2025 财年营收也创下 86 亿美元的新高。
苹果的动向是个信号。公开资料显示，苹果正在 iPhone 和 MacBook 等多条产品线里测试长鑫的 DRAM 芯片。有意思的是，苹果一度想压低采购价，被长鑫直接回绝——后者坚持报价不低于三星电子和 SK 海力士，原因是华为、小米等本土企业已经用长期合同锁住了它的产能。
NAND 闪存这边，长江存储也在制裁压力下稳步推进，其 232 层 3D NAND 芯片已实现稳定量产，部分产品性能参数追平了国际头部企业。
注：本文中包含AI辅助创作的内容。
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