北京
国家知识产权局信息显示，苏州承峻半导体设备有限公司申请一项名为“一种水平法晶体生长的熔体流动稳态控制方法”的专利，公开号CN122543148A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种水平法晶体生长的熔体流动稳态控制方法，涉及晶体材料生长技术领域，包括如下步骤：S1：在水平法晶体生长装置中设置至少一个熔体流动状态监测单元和至少一个非接触式流动调控单元，水平法晶体生长装置包括炉体、设于炉体内的舟形坩埚、以及用于加热坩埚中原料以形成熔区的加热系统；本发明中建立了水平法晶体生长熔体流动的监测、诊断、调控、协调闭环控制体系，通过实时获取熔体流动速度场和脉动特征，提取空间对称性和速度脉动特征参数，判断失稳类型，并针对性地施加非接触式调控，形成完整的主动控制闭环，突破了现有技术仅通过调节加热温度被动适应流动变化的局限，将晶体生长控制从经验试错提升为智能闭环控制。
天眼查资料显示，苏州承峻半导体设备有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1296万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州承峻半导体设备有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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