陈立武暗示：英特尔将杀回存储市场？

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在今天发布的一个博客采访中，英特尔CEO陈立武表示，CPU 和内存，我们有很多方法可以将它们堆叠在一起，同时尝试为内存寻找一些新的架构。我认为在某种程度上，在内存领域，很多创新并不存在。我过去不投资内存，因为它有点像商品业务，但现在情况不同了，有很多新技术涌现。我的一个心头好项目是研究一些内存的新架构，我想你刚刚看到新闻，我聘请了我的好朋友李硕熙（Seok-Hee Lee）。他以前掌管 SK 海力士，所以你大概能猜到我在想什么，我们还没准备好公布。

原文如下：

"CPU and memory, there's a lot of ways we can do stacking together and also try to find some new architecture for memory. I think in some way, in memory, a lot of innovation are not there. I used to not invest in memory because it's kind of commodity business, but now it's become different, there's a lot of new technology coming out. One of my pet project is looking at some of the memory new architecture, and I think you just saw the news that I hired my good friend Seok-Hee Lee. He used to run SK Hynix, so you kind of know something that i'm thinking about we're not ready to unfold it."

根据这个描述，似乎暗示英特尔正在杀回存储芯片市场？

英特尔的存储往事

很多人可能不知道，内存其实是英特尔的“祖业”。

1968年，英特尔成立之初，公司的最初设想就是利用半导体技术取代当时的磁芯存储器。1970年，英特尔推出1103 DRAM，这是商业化DRAM的早期里程碑产品，并在1971年底成为全球销量最高的半导体器件。换句话说，英特尔并不是一家后来突然跨界做内存的CPU公司，恰恰相反，英特尔最初就是一家以存储器为重要核心业务的半导体公司。

但随后，故事发生了变化。

随着日本半导体厂商在DRAM市场快速崛起，DRAM逐渐演变成高度周期化、资本密集型的商品业务，英特尔最终在上世纪80年代退出了DRAM市场，并将战略重心逐步转向利润率更高、差异化程度更强的微处理器。这个战略转型后来成为英特尔历史上最重要的转折点之一——从“存储器公司”变成了“CPU公司”。

不过，退出DRAM并不意味着英特尔彻底放弃了存储技术。

1988年，英特尔推出了自己的NOR Flash产品。此后多年，Flash、SSD等存储业务依然存在于英特尔的产品版图中。尤其是在进入数据中心时代后，英特尔又开始寻找传统DRAM和NAND之外的第三条道路。

这就是后来著名的3D XPoint/Optane。

2015年，英特尔与美光公布3D XPoint技术，并将其定位在DRAM与NAND之间，希望打造一种兼具高性能、非易失性和更高密度的新型存储技术。英特尔随后将其产品化为Optane，并进一步推出Optane SSD以及Optane DC Persistent Memory，让存储器第一次以更加直接的方式进入CPU的内存体系。2019年推出的Optane DC Persistent Memory甚至可以通过内存总线、以字节寻址的方式工作，其定位已经不再是传统意义上的SSD。

但Optane最终没有成功。

2022年，英特尔正式宣布逐步退出Optane业务，并停止未来产品开发。英特尔后来也明确表示，公司将继续支持现有产品，但不再开发后续Optane产品。

与此同时，英特尔甚至把传统NAND业务也卖掉了。

2020年，英特尔宣布以90亿美元将NAND存储及SSD业务出售给SK海力士，交易包括NAND SSD业务、NAND组件及晶圆业务以及大连NAND闪存制造基地；英特尔当时明确表示，将保留Optane业务，并把交易所得用于长期增长领域。

因此，到2022年前后，英特尔事实上已经基本完成了从传统存储市场的撤退：NAND卖给了SK海力士，Optane也最终关停。一个曾经以DRAM起家的公司，几乎彻底退出了传统意义上的存储芯片市场。

也正因为如此，今天陈立武的表态才格外值得关注。

存储新架构带来的机遇

他说自己过去“不投资内存”，因为内存“有点像商品业务”；但现在情况不同了，因为“有很多新技术涌现”，而他自己的一个“心头好项目”，就是研究新的内存架构。

这句话的关键，其实不是“memory”，而是“new architecture”。

因为如果英特尔只是想重新进入DDR5、LPDDR5X这样的传统DRAM市场，那并没有太大意义。三星、SK海力士和美光已经建立起非常深的工艺、产能和客户壁垒，英特尔重新建设一套传统DRAM体系，不仅投入巨大，而且很难在成本和规模上与现有玩家竞争。

但AI正在改变内存市场。

过去的DRAM更多是CPU的“配套器件”，而今天，内存已经成为AI计算系统的核心瓶颈之一。HBM将DRAM通过3D堆叠、TSV等方式与计算芯片紧密结合，本质上就是一次“重新设计内存架构”。而随着AI模型规模继续扩大，行业又开始寻找HBM之外的解决方案，包括更高密度的堆叠DRAM、CXL内存、近存计算、计算型内存以及各种新的3D内存架构。

这恰恰与陈立武所说的“CPU和内存，有很多方式可以把它们堆叠在一起”高度吻合。

更重要的是，这已经不是英特尔第一次释放类似信号。

2026年2月，英特尔已经与软银旗下SAIMEMORY达成合作，共同推进Z-Angle Memory（ZAM）下一代内存技术商业化。软银方面称，ZAM旨在提供高容量、高带宽和低功耗的数据处理能力，面向AI训练和推理等场景。

ZAM的意义就在于，它并不是简单地再造一颗传统DRAM，而是试图通过新的DRAM堆叠和互连方式，解决HBM目前面临的成本、功耗、散热以及供应问题。已有报道显示，该项目瞄准的是一种低功耗的HBM替代方案。

更有意思的是，正如陈立武所说，2026年6月，英特尔又宣布任命前SK海力士CEO李硕熙（Seok-Hee Lee）担任Intel Foundry执行副总裁，负责先进封装、系统集成、后端技术开发和制造，并直接向陈立武汇报。

把这几件事情放在一起看，逻辑就非常清晰了：

英特尔并不是简单地想“重返DRAM”。它真正盯上的，可能是AI时代“计算+内存+封装”重新融合之后诞生的新市场。

过去CPU和DRAM是两种相对独立的产品，英特尔负责CPU，三星、SK海力士、美光负责DRAM。但今天，HBM已经通过先进封装与GPU/AI加速器高度耦合，内存本身越来越成为计算架构的一部分。

这意味着，“谁制造DRAM”已经不是唯一的问题，“DRAM应该以什么方式与计算芯片连接”同样重要。

而这恰恰是英特尔擅长的领域。

英特尔拥有CPU架构、先进封装、Chiplet、EMIB、Foveros以及Intel Foundry等一整套能力。此次李硕熙加盟后，英特尔还进一步把先进封装、系统集成和后端制造集中到其麾下。英特尔官方对他的定位也非常明确，就是强化“system-level innovation”。

甚至在ZAM之外，近期还出现了另一条值得关注的线索：英特尔相关专利披露了一种新的XBM（Cross-Batch Memory）架构，试图通过不同于传统HBM的方式，将DRAM堆叠、UCIe互连和封装结合起来，以降低HBM复杂的硅中介层和宽接口带来的成本与复杂度。不过这仍属于专利层面的技术探索，距离产品化还有相当距离。

所以，如果要给这件事情下一个判断，我会写成：英特尔正在“杀回内存”，但这一次，它想杀回去的可能不是传统DRAM市场，而是AI时代的“新内存”。

这其实比简单的“英特尔重返存储芯片市场”更加值得关注。

因为如果英特尔真的重新去做DDR6、HBM5这样的传统意义上的DRAM产品，它面对的是三星、SK海力士和美光；但如果它试图重新定义CPU/AI加速器与内存之间的关系，那么它面对的就不再只是三大DRAM厂商，而是在争夺下一代AI计算架构的话语权。

而这也能解释为什么陈立武会特别提到李硕熙。

一个曾经掌管SK海力士的“内存老兵”，一个掌握CPU和先进封装能力的英特尔，再加上AI时代对高带宽、高容量、低功耗内存前所未有的需求——这三者碰在一起，确实很可能意味着英特尔正在酝酿一些不一样的东西。

从这个角度看，陈立武所谓的“pet project”，可能比“重返存储市场”这几个字本身更值得关注——英特尔真正想重新夺回的，或许不是一块DRAM市场份额，而是内存架构的定义权。

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