北京
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种在零部件表面形成氟化层的方法”的专利，公开号CN122543001A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种在零部件表面形成氟化层的方法。所述方法包含：提供一零部件本体，零部件本体表面的材质为铝或铝合金；钨层沉积步骤：在零部件本体的表面沉积形成钨层；氟化处理步骤：电离含氟气体，氟化去除所述钨层，并进一步对去除了钨层的零部件本体表面氟化处理，形成氟化层；循环执行钨层沉积步骤和氟化处理步骤N次，直至零部件本体表面形成的氟化层达到预设厚度。本发明方法能够降低零部件表面金属的氟化难度，提高氟化效率，可于零部件表面高效形成预设厚度的较厚氟化层，解决了现有技术难以在零部件表面形成较厚氟化层的问题。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本95784.2348万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目91次，财产线索方面有商标信息86条，专利信息1740条，此外企业还拥有行政许可88个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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