北京
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“芯片及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN122555193A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请提供一种芯片及其制备方法，涉及半导体领域，能提高垂直晶体管的电子迁移率和空穴迁移率。该芯片包括衬底和设置于衬底上的垂直晶体管，垂直晶体管包括第一极、第一沟道层和设置于第一沟道层外围的第二沟道层、第二极、第一间隔层、栅结构、第二间隔层。第一极和第二极均与第一沟道层和第二沟道层接触；垂直晶体管为N型晶体管，第二沟道层的晶格常数小于第一沟道层的晶格常数；垂直晶体管为P型晶体管，第二沟道层的晶格常数大于第一沟道层的晶格常数。第一间隔层、栅结构、第二间隔层在第一极与第二极之间，栅结构包括栅极和用于隔离栅极与第二沟道层的栅介质；沿衬底指向栅极的第一方向，第二沟道层的高度大于或等于或小于栅结构的高度。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4114113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目44244次，财产线索方面有商标信息14532条，专利信息128185条，此外企业还拥有行政许可1730个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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