北京
【CNMO科技消息】8月11日，据媒体报道，韩国存储两大巨头三星和海力士正共同推进EUV光刻工艺的研发，其目的为确保下一代DRAM实现量产。
三星（左） SK海力士（右）
据悉，在近日举行的“下一代光刻+图案化”会议（NGL 2026）上，SK海力士副总裁表示：“正在考虑多重曝光EUV或引入高数值孔径（High-NA）单次曝光技术，以大规模生产极致微工艺。”并补充到，随着今年全面启动相关技术的研发，公司已开始全面引入PSM等新型材料，以期提升EUV光刻性能。PSM能同时控制光强与光相位，通过相消干涉压制衍射伪影，从而释放High-NA EUV的理论分辨率。
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CNMO科技了解到，SK海力士正与韩国本土企业东进世美肯（Dongjin Semichem）联合开发高性能EUV光刻胶，重点提升光敏性以缩短曝光时间、提高晶圆吞吐量，旨在减少对日本供应商的依赖。
此前，三星已在华城园区引入首台High-NA EUV光刻机（ASML Twinscan EXE:5000），用于技术研发。公司正计划引入更多该型设备，以在2nm乃至更先进制程中提升良率与性能。三星还表示正在与各合作伙伴开展联合研发。
SK海力士DRAM工厂
目前，三星已完成2nm制程量产，并计划于2029年量产1.4nm制程，于2030年推出1.4nm改进版（SF1.4+）及1nm制程，与High-NA EUV导入时间高度吻合。
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