北京
国家知识产权局信息显示，宝鼎乾芯集成电路（杭州）有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN122555204A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：半导体基底，所述半导体基底包括有源区和终端区，所述终端区围绕所述有源区设置；其中，所述终端区上设置有：第一场限环，所述第一场限环位于所述半导体基底内，且环绕所述有源区设置；截止结构，所述截止结构包括第二场限环以及位于所述第二场限环上的金属场板，所述第二场限环位于所述半导体基底内且环绕在所述第一场限环外侧，所述第二场限环的离子掺杂类型与所述第一场限环的离子掺杂类型相同。本发明实施例提供的半导体器件，可以兼顾低成本和高可靠性的需求。
天眼查资料显示，宝鼎乾芯集成电路（杭州）有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，宝鼎乾芯集成电路（杭州）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目27次，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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