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观点网讯：8月7日，SK海力士在FMS 2026峰会上确认其新一代NAND闪存产品V10的技术细节。该产品采用375层堆叠设计，是继321层V9“4D NAND”之后的下一代闪存。
V10是SK海力士首款导入晶圆键合技术的NAND产品。
SK海力士宣称，V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能。
V10专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。
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