北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其制造方法”的专利，公开号CN122535226A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。半导体测试结构包括基板、多个线型主动区及隔离结构。多个线型主动区从基板向上延伸，且这些线型主动区彼此平行并沿方向延伸。这些线型主动区的每一个都从基板的边界连续地延伸至基板的另一边界。隔离结构设置在基板上且位于所述线型主动区之间。这种半导体测试结构可以简易地估算实际半导体结构中部分主动区的电学参数。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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