广东
铠侠（Kioxia）和闪迪（SanDisk）宣布，共同发布新一代QLC 3D闪存技术。其采用332层架构和优化布局设计，相较于第八代产品，新技术的位密度提升幅度高达60%，超过37 Gb/mm²，在位密度、性能和能效方面树立了新的行业标杆。
新一代QLC 3D闪存技术采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。铠侠和闪迪还采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，让其成为了业界首个NAND I/O接口速率达到4.8Gbps的QLC 3D闪存技术。
另外还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，提高了I/O数据输出传输能效。随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。
官方已经确认，这次的新技术也是基于第十代BiCS FLASH闪存技术。上个月采用相同技术的TLC闪存的样品已开始出货，总层数也是332层，不过位密度为29 Gb/mm²，显然QLC闪存在存储密度方面有着更大的优势。
目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。
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