群智咨询：2026上半年全球主流DRAM厂商合计营收同比增幅超300%

根据群智咨询的数据显示，2026上半年全球主流DRAM厂商合计营收达到2841亿美元，同比增幅超300%。全球DRAM行业迎来历史最强景气周期，AI服务器对HBM、高端DDR5的刚性需求爆发式增长，叠加海外头部厂商主动收缩消费类成熟产线，行业供需持续紧缺，带动全产业营收跨越式增长。

AI驱动DRAM上半年营收激增，厂商策略分化拉开业绩差距

2026 上半年，DRAM 行业营收呈现 “逐季走高、同比激增” 的核心特征，AI 算力需求成为全行业增长的核心引擎，行业整体盈利水平创下历史新高。2026年第一季度全球四大 DRAM 厂商合计营收 892.6 亿美元，第二季度合计营收约为 1395.1 亿美元，上半年累计营收预计达到2287.7 亿美元，较 2025 年上半年同比增长约312.5%，全行业均实现数倍增长，其中长鑫存储(688825.SH)同比增速最高，达到503.9%，三星、美光(MU.US)、SK Hynix同比增速也有200%以上。

需求结构也发生根本性转变，根据群智咨询的测算，2026年AI服务器DDR与HBM合计需求占比约为34.9%，较2025年的 20.5% 提升约14个百分点，手机、PC 等传统消费电子 DRAM 需求占比持续下滑，行业增长逻辑从消费端驱动彻底转向算力端驱动，上半年行业供需比低至 - 5.7%，结构性供给缺口贯穿整个上半年，HBM的高溢价以及DDR5服务器颗粒价格持续上行，带动厂商整体毛利率大幅提升。

在行业整体高增长的背景下，群智咨询分析认为四大厂商营收、产能表现分化显著，各家依托自身产业链布局走出截然不同的增长路径。

三星上半年DRAM累计营收 941.8 亿美元，营收规模位居全球第一；一季度营收 356.3 亿美元，二季度营收约为 585.5 亿美元，环比增长约 64.3%。上半年三星全球DRAM产能份额稳定在 35% 左右，行业龙头地位稳固。其核心经营思路为主动优化产品结构，上半年持续缩减 Line13/15/17 老制程产能，削减面向手机、PC 的低端 DRAM 产出，将有限产能向高毛利服务器 DDR 与 HBM 倾斜，优先保障 HBM3E、服务器 DDR5 量产交付；全年暂无大规模新增晶圆产能投片，依靠提升高附加值产品营收占比拉动业绩增长，短板是持续让出消费内存市场份额，通用 DDR 产品供给弹性偏弱。

SK Hynix上半年DRAM累计营收约为 647.5亿美元，位居行业第二，其第一季度营收280.1亿美元，第二季度营收约为367.4亿美元，环比增长约31.2%，上半年SK Hynix全球DRAM产能份额维持 30% 以上。其依靠专属 HBM 产线放量、双线并行的模式实现增长，2026 年第二季度 M15X 专属高端 HBM 产线正式量产并持续爬坡，HBM 全球出货量位列行业第一，成为营收和盈利增长核心支撑。海外无锡 C2 成熟产线产能保持稳定，仅作为消费内存周期缓冲池，不再追加成熟制程资本开支，依托 “本土高端 HBM + 海外通用内存” 双线布局，持续拉开与同行的盈利差距。

美光上半年 DRAM 累计营收约 501.5 亿美元，位列行业第三；其中一季度营收约 187.7 亿美元，二季度营收环比提升 67.2% 至 约313.8 亿美元。公司上半年全球 DRAM 产能份额维持在 18% 上下，整体保持平稳。美光采取车规等长生命周期存储产品与 AI 存储双赛道均衡发展的核心策略，美国本土 Fab6 工厂专项改造工作已经启动，产能布局逐步向车规、工业、国防等长生命周期存储产品倾斜，后续计划逐步退出消费级市场。与此同时，Fab15 与 OMT 先进产线持续加码 HBM 与服务器 DDR5 产能投放，企业并未主动缩减成熟制程产能，整体扩产节奏明显快于韩系两大厂商。车规类等长生命周期存储能够对冲消费电子需求下行带来的压力，使得企业业绩波动相对平缓。但受限于高端 HBM 产能规模不及三星、SK Hynix，美光 AI 算力相关业务的盈利弹性存在显著上限。

而国内长鑫存储上半年累计营收约为196.9亿美元，上半年全球DRAM产能份额从2025 年的 14% 提升至 15.8%，产能持续提升，核心增长策略为逆周期持续扩产加国产替代，作为2026年全球唯一持续扩产的DRAM厂商，季度产能环比增速长期维持在10%以上(海外厂商仅维持0-10%的季度增速区间)，其Fab2先进产线持续爬坡，稳定量产DDR5并小批量导入HBM，定向配套国内信创与AI 算力服务器。长鑫存储依靠持续产能扩张抢占通用内存市场份额，营收同比增速行业第一，但高端 HBM 工艺、产能规模与国际头部厂商仍存在代差。

整体来看，群智咨询分析认为四家厂商的核心差异集中在产能规模、产品差异性、技术代际和战略重心四个维度。三星依靠产能规模和全品类产品线优势稳固份额，在HBM方面强化与CSP厂商特别是ASIC和NPU客户群战略合作。SK Hynix凭借专属HBM产线放量实现高增速，美光依靠车规存储加 AI 算力双赛道增长，长鑫依靠国产通用存储放量提升营收和利润；产能方面，三星收缩成熟产线、倾斜先进制程产线；SK Hynix HBM 产线爬坡、成熟产线维稳；美光改造产线保长生命周期存储业务、同步扩充算力产线；长鑫新建产线持续爬坡、全制程扩产；核心优劣势上，三星营收规模第一、全品类布局，SK Hynix HBM 出货全球第一、盈利弹性较强，美光经营稳定性强、抗风险能力突出；长鑫增速第一、多产品线拓展，份额持续提升。同时各厂商也分别面临消费电子内存份额流失、通用DDR供给不足、HBM 产品性能代际差异等短板。

下半年DRAM景气持续，厂商分化加剧

2026年下半年 DRAM 行业景气度将持续延续，营收逐季走高，厂商分化格局进一步加剧。根据群智咨询的测算，2026年第四季度头部DRAM厂商整体营收将达是第一季度的两倍，全年营收呈现 “逐季走高” 的走势，预计下半年累计营收约为3451.7亿美元，较26年上半年增长约50.9%。SK Hynix凭借 HBM 订单和出货释放，下半年营收增速领跑全行业。

产能投放节奏上，三星全年无新工厂投产，持续优化现有产线结构，下半年三星DRAM产能份额维持 36% 左右小幅波动；SK Hynix在 M15X Fab高端 HBM 产线持续爬坡，海外无锡工厂全年产能稳定，下半年产能份额稳定在 31% 左右；美光持续推进 OMT 先进算力产线改造扩产，为中长期产能高增长铺垫基础，下半年产能份额小幅回落至 17% 左右；长鑫存储 依靠新产能全年持续爬坡，全年产能同比增速约为12.8%，季度扩产速度持续领先海外同业，下半年产能份额维持16%左右持续增长。

供需与价格层面，2026 下半年行业结构性供给缺口将持续延续，全年供需比维持负值，紧缺格局无明显缓解，全年DRAM 价格维持上行态势，但下游终端成本压力持续加剧，预计涨幅持续收窄。

HBM供给竞赛，头部厂商产能份额此消彼长

HBM 作为DRAM增速最高的存储产品，产能布局差异成为三星、SK Hynix、美光业绩分化的核心因素。2026 上半年，SK 海力士持续保有全球 HBM 产能龙头地位，26Q1、26Q2 产能占比分别为 48%、49%，依托 M15X 专属产线持续爬坡，稳定占据近半数供给份额，深度对接 AI 算力客户，充足产能支撑其充分把握本轮行业高景气窗口。三星持续推进 HBM 产能扩张，上半年产能占比维持在 28%-30% 区间，稳步提升 HBM3E、HBM4 供给规模，依托成熟 DRAM 制造体系持续优化堆叠工艺，中长期产能释放节奏平稳。美光 HBM 产能占比稳定处于 22%-23%，高端 HBM 堆叠产线扩张节奏相对保守，产能规模显著低于韩系两家厂商。从趋势来看，SK Hynix产能占比自 2025 年高点逐步回落，三星产能占比持续抬升，美光缓慢扩容，三者供给格局缓慢重构。现阶段三家厂商中长期订单饱满，产能基本提前锁定，行业整体供给持续偏紧，HBM 产能布局差距将持续影响各家盈利水平。

DRAM格局重塑，HBM成长期壁垒，海外&中国方向分化

2026 年上半年，AI 算力需求彻底重塑了全球 DRAM 行业的增长逻辑，厂商策略的分化直接带来了经营表现的差距：韩系双巨头通过布局服务器算力需求，提前调整产能结构锁定了高毛利产品线，美光通过均衡布局实现了稳增长，长鑫存储通过逆周期扩产实现了份额与营收的稳步提升。

2026 下半年，行业景气度将持续延续，营收逐季走高，预计将在第四季度迎来全年峰值；海外厂商总产能微幅增加，增量主要集中于HBM与服务器用DDR，长鑫存储释放供给增量将支撑国内国产替代进程加速。长期来看，大规模 HBM 先进产能储备已成为 DRAM 行业的核心竞争壁垒，具备 HBM 大批量量产能力的存储原厂将持续掌控行业定价权与核心云服务客户群，而海外和中国DRAM市场将分别向高端存储、国产自主供给两大方向转型。

本文源自：智通财经