长鑫“登顶”，国产存储如何实现产业跃迁

国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头长鑫科技登陆科创板后，首日暴涨465.8%，登顶A股市值榜首；第五个交易日，盘中股价最高触及60元/股，总市值一度突破4万亿元。社交媒体上，有关长鑫科技“造富神话”的讨论持续刷屏。

几乎在同一时间窗口，国产3D NAND存储芯片赛道的另一龙头——长江存储的资本化进程也迎来加速，于7月10日完成首期IPO辅导工作。市场普遍预计，其上市后市值有望站上5000亿元至8000亿元区间，甚至可能冲击万亿市值。

“以‘两长’为代表的硬核高端制造企业受到资本热捧，由此带来的产业驱动力将为未来国产存储参与全球竞争、实现更高层次自立自强，提供更为坚实的支撑。但这一过程中，机遇与隐患也相互交织。”受访专家表示。

国产存储迎来“成人礼”

△ 7月27日，长鑫科技正式登陆上交所科创板。

DRAM，即运行内存，手机同时运行多款应用是否丝滑、电脑能否顺畅处理大容量文件、服务器能否充分发挥CPU与GPU性能，都由DRAM作支撑。长期以来，全球DRAM市场由韩国三星、SK海力士，以及美国美光科技把持，三家企业合计拿下全球90%以上份额。我国是全球最大的电子产品生产基地，但在DRAM领域，一直未能培育出具备规模实力的本土企业。

成立于2016年，并在此后的10年里实现扭亏为盈、扛住行业剧烈周期性波动的长鑫科技打破了这一局面。目前，其在北京、合肥两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM IDM（采用‌垂直整合制造模式‌研发、生产与销售动态随机存取存储器）一体化企业，已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代。

根据Omdia数据，在产能、出货量和销售额三项统计维度下，长鑫科技是中国第一、全球第四的DRAM厂商。市场调研机构Counterpoint Research数据显示，按2026年一季度收入计，其全球市场份额已增长至8%。

国金证券研报数据显示，长鑫科技2025年底月产能约28万—29万片。随着上海临港新厂的建设推进，其月产能2028年底将冲击50万片，届时，全球DRAM产能占比有望提升至17%左右。

“长鑫科技作为国内唯一实现DRAM规模化落地的企业，硬实力早已跨过国际主流技术门槛，彻底打破了海外巨头的长期垄断。它的量产落地，直接补上了国内AI算力体系里‘存力’的核心短板，从底层缓解了AI平台长期面临的内存墙瓶颈，为本土AI产业筑牢了自主可控的存储底座。”北京市社会科学院副研究员王鹏告诉中国外文局《中国报道》记者。

上市首日，长鑫科技成为A股市值最大公司。这是A股30余年发展历程中，硬核高端制造企业首次站上市场价值制高点。在此之前，顶端席位长期由国有大行、石化能源、消费龙头等把持。

“资本市场有其狂热逻辑。”王鹏表示，长鑫科技上市填补了A股纯正DRAM制造标的的空白，有利于打通本土存储全产业链的价值闭环。市场对长鑫科技的热捧，本质上是AI存储赛道稀缺性与国产替代战略价值的集中释放。

对于长鑫科技的成功，王鹏认为是多重历史机遇叠加的结果。2022年至2024年，全球存储行业遭遇寒冬，终端需求疲软，三星、SK海力士、美光等DRAM产业巨头纷纷减产保价。长鑫科技却选择“低谷期扩产、高峰期收割”，在合肥国资与国家大基金二期的持续注资下，月产能从不足10万片提升至30万片。

2025年全球AI产业爆发带动存储需求结构性升级，海外巨头将产能转向利润更高的HBM（高带宽内存），传统DRAM供给收缩，而AI服务器、国产PC和数据中心的需求却持续增长。长鑫科技逆势增加的产能，恰好踩中了这一缺口。

“企业自身在漫长周期里坚持长期主义，逆周期投入技术研发，啃下了量产爬坡的硬骨头。再加上地方产业资本、国家长线资金的接力托举，以及科创板硬科技融资通道的制度支撑，最终形成了产业、资本、政策同频共振的正向循环。”王鹏说。

△ 长江存储。（图源/视觉中国）

长鑫科技之后，长江存储是下一个即将登陆资本市场的存储巨头。不同于长鑫科技主攻的DRAM，长江存储专注3D NAND闪存芯片（长期保存数据，断电后数据不会丢失），该领域同样被国际企业所垄断。凭借自主研发的Xtacking（晶栈）架构，长江存储通过差异化技术路线收获了国际认可，目前市场份额已增长至13%，与闪迪和美光之间的差距进一步缩小。

Counterpoint Research发布的数据显示，今年一季度，长江存储营收同比增长近445%。市场普遍认为，若进展顺利，其上市将成为国产存储芯片的又一里程碑时刻。

从“一棵树”到“一片森林”

存储芯片制造从来不是一家企业的单打独斗，而是整条产业链的协同作战。上游材料与设备的精度决定了晶圆良率，模组与封测的能力关乎最终产品能否走出工厂，各环节咬合越紧，产业的根基就越牢。长鑫科技等存储龙头企业的规模化量产需求，正在自上而下为一众国产零部件、耗材厂商创造稳定的验证场景与订单增量。

据招股资料显示，长鑫科技的生产体系串联起大批A股上市配套企业，辐射硅片、光刻胶、电子化学品、半导体特气、晶圆设备、封测服务等整条上游供应链。

CINNO Research资深分析师王菁向媒体表示，长鑫科技与本土材料、封测、设备企业的协同，已经起到了缩短供应链、压低采购成本、保障交期稳定的作用。

“等于有了一个超级链主开始进入，对上下游都会形成比较明显的拉动作用，这可能会对中国整个设备、整个材料、整个供应链的完整和适配性能提出更高的要求，也能够推动它的发展。”复旦大学管理学院科创中心首席经济学家邵宇说。

△ 存储模组厂商佰维。

从需求端来看，这种产业链的凝聚力正在被下游市场不断验证。招股书显示，长鑫科技的终端客户已包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等。

“DRAM产品是现代存储器的重要组成部分，一方面，下游服务器、手机、个人电脑等主流终端市场以及智能汽车、智能可穿戴设备等新兴终端市场的快速发展显著提升了对DRAM的需求。另一方面，中国是全球主要的DRAM需求大国之一，国内厂商发展前景广阔。”7月15日，长鑫科技举办首次公开发行股票并在科创板上市网上投资者交流会，公司董事长朱一明在出席交流会并回答投资者提问时表示。

△ 长鑫存储器项目。（图源/合肥发布）

从“栽下一棵大树”到“撑起一片森林”，地方产业资本布局成为国产存储供应链生态壮大的重要支撑。

10年前长鑫科技成立时，合肥国资以极高的产业试错风险为项目一期注资144亿元，并在行业遇冷时出资支持企业逆势增产。长鑫科技登陆科创板后，按照3万亿元市值计算，合肥国资持股对应持股市值超过1.1万亿元。外界普遍将这笔丰厚回报视作一个标志性案例：地方政府依托国有资本作为撬动支点，重仓布局国家战略产业，最终穿越存储产业剧烈周期，收获产业价值与资本收益的双重成果。

据合肥市发改委相关负责人介绍，围绕长鑫科技等链主企业，合肥已构建起覆盖“设计—制造—封测—设备—材料”的全产业链生态，集聚了沛顿封测、御微半导体、合光光掩模等一批优质配套企业。2016年合肥集成电路产业产值约180亿元，到2025年已突破1500亿元，9年时间产业规模增长超7倍，企业总数突破500家。

长江存储同样是地方政府押注战略性产业的典型案例，湖北各级政府与国资曾花费大量心血和精力培育这一龙头企业。

今年1月，武汉宣布联合长江存储推出“梧桐树计划”，将以长江存储为中心、4.5公里为半径，在60平方公里范围内打造世界级存算一体化产业基地，规划建设14平方公里的化合物半导体产业创新街区，拟用三年时间引进培育上下游企业100家。

王鹏告诉记者，当前整条本土半导体产业链协同日益成熟，国产存储产业走到今天离不开地方政府的大力扶持，但真正的升级意味着要实现从技术追赶到生态主导。这也启示地方政府，产业投资不能急功近利，要坚持深耕产业、厚植创新沃土的长期主义。

前路仍需攻坚

△ 长鑫存储产品图片。（图源/视觉中国）

对于整个仍在赶超中的中国存储产业来说，上市并不是终点。

王鹏指出，当前长鑫科技的超高市值，更多是短期市场情绪与赛道溢价共同作用的结果，透支了过多远期成长预期，难以长期维持。存储行业天然具备强周期属性，后续随着全球产能格局调整，估值将向产业基本面回归。

高盛、美银、瑞银等机构认为，本轮超级周期可能延续至2027年至2028年。高盛认为，涨价趋势将延续至2028年，2027年的存储芯片供应甚至可能比2026年更加紧张，真正的产能释放拐点将在2028年到来。

朱一明曾回应，DRAM行业具有强周期性，价格波动较大，且AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。若宏观经济发生不利变化，AI需求不及预期或新产能集中释放，行业可能重回下行周期。长鑫科技将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力。

具体到经营层面，业内分析人士认为，长鑫科技接下来面临的首要挑战在于：一是能否持续将不足一成的全球DRAM市场份额稳步扩大，用高良率的DDR5与LPDDR5X实现通用基础设施的规模化替代；二是在下一轮DRAM价格下行周期中守住盈利底线。

“高端技术突破、全球市场份额提升的攻坚仍在持续，距离真正的全产业链自主突围，国产存储仍有很长的路要走。”王鹏说。

对于国产算力来说，HBM无疑是亟需攻克的领域。较之于DRAM，其因高带宽、低功耗的优势受到云端服务巨头和AI芯片厂商争相抢购，是存储行业的利润高地。目前，全球仅三星、SK海力士、美光三家具备HBM4量产能力，2026年的全部产能已被英伟达等核心客户提前锁定。

当前，长鑫科技在产品结构上仍以消费端DRAM为主，在HBM技术上处于持续研发和产业化推进阶段，与海外巨头存在代际差距。据报道，此次长鑫科技IPO募集资金的主要用途之一便是存储器产线技术升级和HBM等前瞻技术研发。

有观点认为，国产HBM发展可先从成熟节点切入，优先满足国内现阶段华为昇腾、海光、寒武纪等国产AI芯片对于高带宽的急迫需求。由长鑫科技提供制造，协同本土先进封装厂，建立本土化的HBM制造生态。

在3D NAND赛道，长江存储面临的挑战同样不容回避。今年一季度，全球NAND市场行业前五名集中度仍在90%左右。目前，长江存储自研的Xtacking架构已迭代到4.0版本，能够实现232层以上堆叠3D NAND量产，性能对标三星、SK海力士的旗舰产品，但与国际厂商300至400层堆叠水平相比仍存在代差。除了技术迭代，长江存储还需在产能上持续爬坡，构建全球化的专利壁垒和客户信任。

“一个不可控的宏观变量因素是，地缘政治冲突加速产业链重构，全球贸易与技术壁垒持续存在。”王鹏表示，海外设备、材料出口等限制，恰恰倒逼国产存储直面短板，以耐力和韧劲在每一个周期低谷中守住研发投入的定力，在每一次技术迭代中缩小代差，实现行稳致远。

撰文：《中国报道》记者 陈珂

责编：王金臣

编审：林崇珍 张利娟