据美国科技媒体The Information引述匿名知情人士报道,晶圆代工大厂台积电正开发“类EMIB(EMIB-like)”技术,进一步扩大封装技术布局、应对竞争。
报道指出,台积电因为CoWoS先进封装的产能吃紧,为防止客户可能由CoWoS转往英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)先进封装平台,正着手与景硕科技合作开发类似EMIB的技术。
EMIB全称为Embedded Multi-die Interconnect Bridge,即嵌入式多芯片互连桥接,是英特尔开发的一项2.5D先进封装技术。它的核心作用是将多个不同功能、甚至不同工艺的芯片(Chiplet/裸片)像拼图一样高效地组装在同一个封装基板上,让它们能够以极高的带宽和极低的延迟进行通信。该技术的重点在于将硅桥直接嵌入封装基板中,提供局部、高密度的裸片间(或芯片间)互连,避免使用整片大型硅中介层所带来的成本及面积负担。
近年来,随着人工智能快速发展,以及云计算巨头(如Google、Meta等)对超大型AI芯片需求激增,2.5D/3D先进封装陷入产能瓶颈,其中台积电CoWoS和英特尔EMIB先进封装技术都成为全球科技龙头竞逐的关键技术。
相较台积电的CoWoS技术,英特尔的EMIB具有多项优势,包括结构更简化、制造良率更高、成本更低、翘曲风险更小,以及更高带宽与更低延迟等。
此外,EMIB在封装尺寸方面也同样具备优势,TrendForce集邦咨询此前的数据显示,相较于CoWoS-S仅能达到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前发展至3.5倍,预计在2027年达9倍;EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸,并预计2026到2027年可支持到8倍至12倍。
据Wccftech、Tom's Hardware等外媒报道,英特尔EMIB技术已成功吸引英伟达、谷歌等企业的关注,其中谷歌预计在2028年委托英特尔生产超300万颗TPU,英伟达也在评估是否在即将推出的处理器中采用该技术。
市场分析指出,若台积电能顺利推出类EMIB技术,未来有助于进一步巩固其先进封装领导地位,削弱英特尔对英伟达、谷歌等公司的吸引力。
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