北京
分享至
国家知识产权局信息显示，长电科技管理有限公司申请一项名为“封装结构及其形成方法、电子设备”的专利，公开号CN122488303A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，一种封装结构及其形成方法、电子设备，封装结构中的光波导结构与第一芯片连接，且在载体第一侧形成与光波导结构远离第一芯片端部连接的光耦合器，从而光信号能够通过光耦合器和光波导结构引入或引出第一芯片；因为将光耦合器设置在面积较大的载体上而非第一芯片上，有利于优化封装结构的空间布局，提高光耦合器的形成工艺空间，有利于降低耦合难度，提高光信号传输的稳定性和完整性。此外，第一芯片、第二芯片以及第三芯片利用载体的第一侧和第二侧进行三维垂直空间堆叠，提高封装结构的集成密度，缩短第一芯片与第三芯片之间的电气互连路径，有利于降低功耗和互连延迟，提高带宽，从而有利于提高封装结构的电学性能。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
