北京
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国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件的测试方法、测试装置和半导体器件”的专利，公开号CN122487857A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的测试方法、测试装置和半导体器件，测试方法包括：提供半导体器件，包括第一表面和第二表面，半导体器件包括至少一个单胞，至少一个单胞的第一电极焊盘设置在第一表面，至少一个单胞的第二电极焊盘设置在第二表面；在半导体器件的第二表面设置保护膜，保护膜包括多个开孔，以暴露第二电极焊盘；将半导体器件放置在金属卡盘上；金属卡盘包括多个金属凸起，金属凸起与开孔对应设置，金属凸起嵌入对应的开孔内与第二电极焊盘接触；将第一电极焊盘与第一探针组连接；通过金属卡盘向第二电极焊盘施加电信号和/或通过第一探针组向第一电极焊盘施加电信号。本发明解决了半导体器件在晶圆测试中容易破片的问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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