上海
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示C长鑫（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、电子设备”，专利申请号为CN202610595219.3，授权日为2026年7月31日。
专利摘要：本公开涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，半导体结构包括：有源部，所述有源部包括依次排布的第一源漏区、沟道区以及第二源漏区；第一隔离层以及第二隔离层，所述第一隔离层位于所述第一源漏区与第二源漏区表面，所述第二隔离层位于所述第一隔离层表面；字线结构，所述字线结构位于所述沟道区上，所述字线结构包括第一部以及第二部，所述第一部位于所述第一隔离层的侧面，所述第二部位于所述第二隔离层的侧面，所述第一部的第一尺寸大于所述第二部的第二尺寸，至少可以改善栅诱导漏极漏电问题。
今年以来C长鑫新获得专利授权18个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息408条，专利信息709条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。
数据来源：天眼查APP
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