广西
#长鑫存储上市 DRAM
韩媒持续重点报道：中国大陆长鑫存储顺利登陆科创板，一跃成为全球第四大 DRAM 内存厂商。全球 DRAM 市场长期被三星、SK 海力士、美光三家海外企业垄断，合计占据九成以上份额。长鑫存储经过多年攻坚，打破垄断格局，国产内存正式登上全球核心竞争舞台。
DRAM 也就是大家常说的运行内存，手机、电脑、服务器、新能源车全部离不开，属于半导体产业基础核心零部件。过去十几年，国内电子产品产量全球第一，关键内存颗粒却高度依赖进口。上游厂商通过产能调控、价格周期影响市场，供应链安全隐患长期存在。长鑫存储从零起步，攻克工艺、良率难题，实现 DDR5、LPDDR5X 规模化量产。
按照最新市场统计，长鑫存储全球 DRAM 市占率达到 7.67%，紧随三星、SK 海力士、美光之后。上市募资将持续扩建晶圆产线，推进更高规格内存与 HBM 产品研发。消息传来，韩国半导体行业普遍感到压力，三星与 SK 海力士长期依靠 DRAM 赚取丰厚利润，国产玩家持续扩产，将改变供需定价话语权。
客观保持理性，跻身全球第四不等于全面超越头部三家巨头。在超高带宽 HBM、先进工艺迭代、全球客户渠道布局上，长鑫和海外龙头依旧存在差距。产品现阶段主要覆盖消费级 PC、移动端、通用服务器领域，高端 AI 算力内存依旧是追赶方向。
但里程碑意义毋庸置疑。长鑫的存在，意味着全球采购方拥有全新备选供应商，不再被少数三家企业完全卡脖子。存储芯片价格剧烈波动的周期效应将会得到缓和，国内终端厂商采购内存拥有更多议价空间。
叠加长江存储在 NAND 闪存赛道持续突破，国产两大存储赛道双线并进。半导体产业突围无法一蹴而就，长鑫上市只是新起点。持续稳定提升良率、迭代新工艺、拓展全球客户，国产存储才能持续缩小与国际巨头差距。国产半导体漫长的突围之路，又迈出关键一步。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
