浙江
英伟达与台积电在推动美国本土芯片制造方面迈出了关键一步。台积电位于美国亚利桑那州的21号晶圆厂（Fab 21）近期已通过4纳米工艺成功制造出首批英伟达GB300 AI GPU。这一里程碑式的进展显著提升了美国本土半导体制造的前景，旨在降低供应链对单一地区的依赖及潜在的地缘政治风险。
然而，尽管前端晶圆制造已实现本土化，整个芯片生产流程尚未完成闭环。这批在亚利桑那州完成制造的晶圆仍须空运回台湾，在当地进行台积电标志性的CoWoS先进封装，随后才能交由系统厂商进行最终组装。对此，业内分析指出，台积电若要满足美国政府对AI芯片“端到端”全流程本土化制造的要求，下一步的核心挑战在于加快实现先进封装技术的本土化落地。
为了打造涵盖制造与封装的完整产业集群，台积电已计划在美国投资2650亿美元，其中包括在亚利桑那州规划建设两座先进封装厂。一旦未来的CoWoS和SoIC相关封装产线顺利建成投产，英伟达旗下包括Blackwell和Rubin架构在内的下一代芯片生产流程将能够完全在美国本土完成。此外，台积电还计划在2028年前将N2（2纳米）及A16（1.6纳米）等更尖端的制程技术引入美国。
与此同时，下游服务器组装环节也在同步加速本土布局。鸿海（富士康）已在德克萨斯州休斯敦建成了GB300 AI服务器的制造基地，纬创也在德克萨斯州达拉斯设立了服务器组装线。随着前端制造与下游组装的对接，全美AI硬件供应链正在逐步成型。
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