美国,加利福尼亚州
针对关于“SK海力士有意收购英特尔美国俄亥俄州晶圆厂”的报道，SK海力士于当日在韩国证券交易所（KOSPI）发布正式声明，明确否认了这一市场传闻。
据韩国媒体《中央日报》（JoongAng Ilbo）于7月22日报道，为应对美国政府压力及持续高涨的AI芯片需求，SK海力士正积极寻求在美国建立存储器制造基地，并已将目光投向英特尔在俄亥俄州建设中的晶圆厂设施。报道甚至声称，SK海力士已通过内部审查及政府审批，正推进收购谈判。
该消息一经发布，立即引发全球半导体行业的高度关注。考虑到SK海力士上周（7月15日）刚刚在美国纳斯达克交易所完成存托凭证（ADR）上市，市场普遍将其解读为公司加速全球化布局的信号。
然而，传闻发酵仅数小时后，SK海力士便迅速在KOSPI发布澄清公告予以否认。由首席财务官金宇铉（Kim Woo-hyun）署名的公告明确表示：
“本公告是针对2026年7月22日《中央日报》刊登的《SK海力士的雄心……收购英特尔俄亥俄州工厂》一文的澄清说明。我公司持续从商业角度评估多种投资与收购机会，但报道所称‘正在推进或决定收购英特尔俄亥俄州工厂’的说法毫无事实依据。”
此次传闻之所以引发广泛关注，与SK海力士与英特尔之间已有的大规模交易不无关系。
2022年，SK海力士以90亿美元的价格完成了对英特尔NAND闪存及存储业务的收购，其中包括位于中国大连的NAND制造工厂及相关知识产权。该交易是SK海力士扩大非易失性存储器业务版图的关键一步，而英特尔则借此剥离非核心资产，集中资源推进其晶圆代工（Intel Foundry）战略。
业界分析指出，此次传闻的背景与当前AI浪潮下的半导体产能竞赛紧密相关。
随着AI GPU需求暴增，HBM（高带宽内存）等高端DRAM产品持续供不应求。SK海力士作为英伟达（NVIDIA）核心HBM供应商，其韩国本土产线已接近满负荷运转。在此背景下，市场对其海外扩产的期待持续升温。
与此同时，英特尔俄亥俄州晶圆厂项目（Fab 27和Fab 28）自2022年动工以来，建设进度一度面临延迟。英特尔近期在财报电话会议中透露，首座晶圆厂已进入设备安装阶段，但第二座工厂的完工时间已从原定的2026年推迟至2029年，凸显其在代工业务上面临的挑战。
受澄清公告影响，SK海力士股价在22日下午交易中回吐早盘涨幅，市场情绪趋于平稳。
多位分析师表示，尽管此次传闻已被证伪，但SK海力士在海外（尤其是美国）建立存储器生产基地的可能性依然存在。
近日，SK集团（SK Group）会长崔泰源在接受媒体采访时也明确表示，“我们不仅需要在韩国湖南地区（Honam）建厂，如果条件允许，也应该推动在美国设厂。我们必须考虑贸易压力等诸多因素，这正是我们在评价该选项的原因。”“我们正在寻觅合适地点。全球每个可行的地点都必须进行评价、排序并迅速开发。”
编辑：芯智讯-浪客剑
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