晶合集成取得光刻套刻误差补偿相关专利，该方法可补偿光刻套刻误差提升精度

来源：新浪证券-红岸工作室

7月22日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备”的专利，授权公告号CN122110631B，授权公告日为2026年7月21日。申请公布号为CN122110631A，申请号为CN202610588770.5，申请公布日期为2026年7月21日，申请日期为2026年4月30日，发明人何赵鑫、黄胜，专利代理机构上海汉之律师事务所，专利代理师刘晓倩，分类号G03F7/20、H10P74/20、H10P74/00。

专利摘要显示，本发明提供一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备，涉及半导体领域。光刻套刻误差的补偿方法包括：获取多个制程图形的高度和套刻误差；判断多个所述制程图形的高度与所述套刻误差的相关性是否满足预设要求；若是，则建立待曝光图形的高度与套刻偏移量的映射关系；基于所述映射关系在后续光刻曝光过程中进行光刻套刻补偿。本发明的补偿方法，根据待曝光图形的高度确定蚀刻偏移量，以在后续光刻曝光过程中进行光刻套刻补偿，提高套刻精度。

作为国内领先的专注于晶圆代工领域的企业，晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，公司注册地为安徽省合肥市，办公地覆盖安徽省合肥市与香港特别行政区。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，同时覆盖MCU概念、集成电路、半导体产业相关概念板块。

2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在所属7家同行业可比企业中排名第4，当期行业营收第一名中芯国际为673.23亿元、第二名为华虹宏力172.91亿元，行业营收平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元；当期公司实现净利润4.66亿元，同样在7家同行业企业中位列第4，行业净利润第一名中芯国际为72.09亿元、第二名为赛微电子13.88亿元，行业净利润平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。从主营业务构成来看，集成电路晶圆制造代工贡献收入103.57亿元，占比95.14%，其他(补充)业务收入4.97亿元，占比4.57%，其余业务收入3176.68万元，占比0.29%。

指标类别 具体指标 数值情况 营收表现 2025年营业收入 108.85亿元 营收表现 行业排名/总家数 4/7 营收表现 行业头部企业营收（第一、第二名） 673.23亿元、172.91亿元 营收表现 行业营收平均数 166.12亿元 营收表现 行业营收中位数 108.85亿元 利润表现 2025年净利润 4.66亿元 利润表现 行业排名/总家数 4/7 利润表现 行业头部企业净利润（第一、第二名） 72.09亿元、13.88亿元 利润表现 行业净利润平均数 9.67亿元 利润表现 行业净利润中位数 4.66亿元 业务构成 集成电路晶圆制造代工收入及占比 103.57亿元，95.14% 业务构成 其他(补充)业务收入及占比 4.97亿元，4.57% 业务构成 其余业务收入及占比 3176.68万元，0.29%

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞2光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康3半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明4一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰5一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳6半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃7一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛8一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成9一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙10半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕11半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰12文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞13一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿14一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康15晶圆的量测方法及系统发明专利公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智16一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮17半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥18用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩19缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕20一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波21半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪22干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强23MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然24半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧25晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平26半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪27栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先28一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭29半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕30安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小31图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛32接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕33半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕34半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞35一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩36集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全37一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平38检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬39LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧40一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳41一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏42半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强43一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏44芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬45半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春46一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲47光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明48半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚49半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露50用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟