北京
国家知识产权局信息显示，浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“单晶炉石英坩埚横向磁场强度分布测量度盘及测量方法”的专利，公开号CN122430752A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种单晶炉石英坩埚横向磁场强度分布测量度盘及测量方法。该测量度盘包括：度盘本体，呈圆盘状，其底部设有用于与单晶炉坩埚托柄同轴限位安装的定位结构；磁极标识，其设于度盘本体上，用于与横向磁场的N极方向与S极方向对准；多个同心圆环标识，其以度盘本体的中心为圆心、以不同直径为半径设于度盘本体的上表面，各同心圆环标识分别对应一种石英坩埚边缘或晶体生长固液界面边缘的标准直径；角度分割线，其以度盘本体的中心为起点沿径向延伸至度盘本体的边缘，并以预设圆心角等分度盘本体的圆周。本发明以被动式度盘替代多轴电机驱动装置，实现快速同心定位和磁极标定，测量点位系统化且克服了磁场方向性问题。
天眼查资料显示，浙江海纳半导体股份有限公司，成立于2002年，位于衢州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本10764.794万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江海纳半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息72条，此外企业还拥有行政许可49个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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