北京
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国家知识产权局信息显示，威弗洛得有限公司申请一项名为“用于HEMT功率半导体的III族氮化物系外延晶圆及其制造方法”的专利，公开号CN122439433A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明公开一种用于HEMT功率半导体的III族氮化物系外延晶圆，包括：生长衬底；生长于生长衬底上的成核区域；以及生长于所述成核区域上、具有纳米尺度尺寸的镓空位、铟空位或微米尺度的空洞的应力缓和AlN区域。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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