湖北
2026年7月14日，知名以色列模拟半导体代工厂塔半导体（Tower Semiconductor）正式宣布，在日本政府及经济产业省（METI）的资金与政策扶持下，公司将启动并行双轨产能扩张战略，全面扩充 300mm 硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）及先进光学封装产能，以匹配下游客户长期需求的高速增长，进一步巩固其在特色工艺赛道的技术领先地位。
塔半导体首席执行官 Russell Ellwanger 表示：“我们深感荣幸能够获得日本政府的认可，由塔半导体主导本次战略性技术产能扩张。双方将携手打造具备全球差异化竞争力的技术卓越中心，以技术领先性、制造精益化与品质可靠性为核心发展支柱。”
他进一步指出，自塔半导体完成对原松下半导体制造业务（现 TPSCo）的多数股权收购以来，本土团队已充分验证了将前沿研发成果落地为大规模量产的能力。通过将塔半导体的技术积累与日本本土的制造工艺专长、产学研资源及高素质产业人才深度融合，公司正在搭建支撑未来数十年技术创新与业务增长的战略产业平台。
双轨战略核心布局详解
第一轨以快速释放 300mm 硅光子新增产能为核心，预计 2027 年第四季度实现全线量产就绪。具体规划包括：将新潟县原 6 号工厂（荒井工厂）改造为 300mm 硅光子及先进光学封装一体化平台，同时最大化挖掘富山县 7 号工厂（鱼津工厂）的 300mm 晶圆产能潜力。
伴随产能落地，塔半导体同步更新长期业绩目标，计划 2028 年实现 36 亿美元总营收与 12 亿美元净利润的经营目标。
第二轨与第一轨并行推进，待相关合作协议正式签署后，将在 7 号工厂周边新建一座全新的 300mm 晶圆制造厂区，投产后预计推动公司硅光子与硅锗整体产能实现数倍跃升，精准匹配 AI 算力与数据中心场景对下一代高速光连接的爆发式需求。该新厂区预计自 2029 年起开始为公司贡献显著营收增量。
本次双轨扩张计划总投资规模约 30 亿美元，其中包含日本政府提供的约 10 亿美元专项赠款，整体项目总事业规模超 6000 亿日元。两座厂区全部建成后，规划月产能将达到 1.8 万片 300mm 晶圆，整体产能规模将超过塔半导体当前位于美国的硅光子制造基地。
总结与展望
整体来看，本次双轨产能扩张是塔半导体全球化产能布局中的关键里程碑。通过依托现有厂区设施基础进行升级改造，有效规避了全新建厂带来的漫长工艺爬坡与良率提升周期，使得公司能够快速响应下游客户的紧迫需求，同时为 2028 年之后的长期持续增长筑牢产能根基。
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