北京
混合键合设备的大规模应用将在HBM5世代之后全面铺开。
随着高带宽内存（HBM）堆叠层数持续增加，芯片间键合精度与信号传输效率的标准也愈发严苛。韩国半导体设备与材料厂商正加速布局混合键合技术研发，研发范围覆盖一体化键合设备、高纯度高选择性配套材料等全链条。设备商、材料厂商与芯片制造厂的协同合作，已成为下一代存储技术的核心竞争壁垒。
三星电子旗下半导体设备子公司SEMES研究院负责人Doh Hyun-Ho在2026韩国纳米产业论坛上表示，伴随HBM堆叠高度提升、键合节距持续缩小，热压键合（TC键合）终将触及性能上限。他预判，混合键合设备的大规模应用将在HBM5世代之后全面铺开。
SEMES推出多工序一体化键合设备
Doh Hyun-Ho介绍，混合键合设备的核心优势是可将晶圆等离子表面处理、清洗、对位贴合、键合、检测等整套工序集成在单台设备内完成。这与传统依靠高温加热填充材料实现贴合的工艺路线有着本质区别。
SEMES依托自身成熟的等离子设备、湿法清洗设备与键合设备技术储备，同步联合客户共同开发适配的混合键合工艺流程。
目前行业面临的核心技术难点包括：超高对位精度、空洞缺陷管控、宽区间键合压力适配、铜污染抑制，以及大尺寸芯片翘曲度调控。SEMES还在研发集成干法、湿法工艺的新一代复合设备。以往晶圆表面处理与清洗工序需由两台独立设备分别完成。
Doh Hyun-Ho表示，多工序一体化设备能够大幅削减制程成本，同时降低缺陷发生率、提升整片晶圆工艺均匀性。该企业也在同步研究设备方案，用以突破现有配套材料的性能瓶颈。
当前半导体设备研发模式正在革新，过去八大前段制程设备各自独立的格局被打破，多功能集成式设备成为主流研发方向。Doh Hyun-Ho提出，下一代半导体制程要求材料与设备同步开发。为此SEMES针对部分项目采用联合开发模式，联合芯片厂、材料供应商三方协同攻关。
混合键合大幅抬升CMP材料性能门槛
Dongjin Semichem高管Kim Hyun-jin在同一场论坛表示，混合键合技术的普及，正在倒逼企业调整化学机械抛光（CMP）材料的研发思路。该企业此前研发重心为传统氧化硅抛光材料，主要用于修正形貌起伏较大、表面轮廓不规则的堆叠结构。
Kim Hyun-jin称，为匹配混合键合对晶圆表面平整度、不同材料间反应选择性的严苛标准，东进世美肯正转向高精度可控型抛光材料研发。
高纯度、高抛光选择比、高区分度，已成为客户三大核心需求指标。为同时满足上述三项指标，材料研发不再局限于纯有机体系，开始拓展有机-无机复合体系、金属络合物等新型材料，以此适配持续升级的客户制程标准。
产线改造成本或延缓混合键合落地节奏
业内近期出现担忧声音：HBM导入混合键合的进度或将不及预期。除技术本身复杂度高以外，产线新增混合键合设备需要改造厂区配套公用系统、扩建设备放置空间。高昂的产线改造成本与改造难度，可能推迟混合键合规模化商用时间。
Doh Hyun-Ho称，客户现阶段高度关注投资回报率，持续评估如何依托现有厂区基础设施、压缩产线改造开支。但从长期趋势来看，随着HBM堆叠层数、性能指标持续提升，混合键合是行业无法绕开的必经技术路线。
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