北京
韩国工业技术研究所和浦项科技大学的研究团队开发出一项芯片堆叠新工艺，可将高带宽存储器（HBM）的集成密度提升至商用水平的约4倍。相关论文发表于最新一期《工程成果》杂志。
这一突破出现在HBM供给紧绷、价格持续上行的节点上。
研究机构DigiTimes最新报告指出，受AI算力需求爆发和产能结构性紧缺双重影响，HBM价格预计在2027年翻倍。据DigiTimes援引消息人士称，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特升至4至5美元甚至更高。
涨价背后是双重瓶颈。生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，产能释放空间被大幅压缩；HBM4工艺制造难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低。
问题的核心回到制造端——如何更高效地堆叠更多层存储芯片？
HBM正是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成。但芯片厚度一旦减至数十微米、比头发丝还细时，多层堆叠极易诱发弯曲、翘曲甚至断裂。层数越多，难度呈几何级增长。
韩国研究团队给出的解法是将转移印刷与原位黏合两种技术整合到同一工艺平台上。转移印刷负责将芯片精准放置到目标位置，原位黏合则让芯片在转移过程中同步完成键合，使转移、放置和电气互联一步完成，省去了反复对准的繁琐工序。
为验证工艺，团队制备了厚度约14微米的超薄硅芯片，每片集成垂直电信号路径和横向再分配布线。在10余片芯片堆叠测试中，新工艺实现了现有商用HBM约4倍的集成密度。
目前全球HBM市场由三星电子、SK海力士和美光科技三家主导。SK海力士CEO郭鲁正近日表示，2027年可能成为存储芯片行业供应短缺最严重的一年。若芯片堆叠新工艺实现产业化，可在不增加芯片面积的前提下提升存储密度，为AI存储瓶颈提供一条新的技术路径。
市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：听潮
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