北京
国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种半导体芯片及其制作方法”的专利，公开号CN122393717A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体芯片及其制作方法，该半导体芯片包括芯片衬底1以及设置在所述芯片衬底1上的电吸收调制器EAM 2；所述电吸收调制器EAM 2包括从下至上依次设置的第一衬底201、支撑柱202、第一有源区203以及第一上波导区204；所述支撑柱202的宽度以及所述第一上波导区204的宽度均小于所述第一有源区203的宽度。本发明可以在降低反向PN结面积的情况下，有效的抑制侧壁对电学性能及光学性能的劣化，提高芯片的带宽，降低界面暗电流及缺陷，降低芯片出光损耗，提高芯片出光功率。
天眼查资料显示，武汉光迅科技股份有限公司，成立于2001年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本80667.5752万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2498次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息1929条，此外企业还拥有行政许可107个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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