三星提前扩产

来源：市场资讯

（来源：半导体芯情）

据韩媒消息，三星电子正着手将其龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。“首座工厂提前投产将使三星能够更快地应对全球对人工智能芯片迅速增长的需求，”一位行业官员表示。

另外，三星上月表示，根据其超级项目投资计划，计划在平泽和龙仁半导体集群投资2,030万亿韩元（约合1.35万亿美元），并投资400万亿韩元在首尔以南270公里的光州建设两座新的半导体存储芯片工厂。

全球主要存储芯片原厂积极扩产

据了解，一座先进制程晶圆厂完整建设周期约2年，因此场地清障、施工方招标等前置环节需顺利进行。资料显示，龙仁半导体产业园系韩国国家级战略项目，旨在成为三星电子下一代半导体的生产基地。报道指出，若首座晶圆厂提前投产，预计不仅产能将扩大，其半导体材料、零部件及设备生态系统的构建也将比预期更快完成。后续项目的进度预计也将加快。

根据此前三星披露投资规划信息，企业将向平泽、龙仁两大半导体产业集群合计投入2030万亿韩元，同时针对韩国湖南地区配套投资400万亿韩元，加码芯片制造布局。国金证券研报指出，全球存储芯片供需持续失衡，三星、SK海力士、美光等龙头扩产意愿强烈，资本开支大幅跳升。

美光近期也在积极推进存储芯片的扩产行动。据透露，美光科技在7月初在日本广岛县东广岛市举行工厂扩建项目的破土动工仪式。

该项目总投资约1.5万亿日元（现汇率约合631.14亿元人民币），旨在建设一座专门生产下一代先进存储芯片的制造设施，以满足 AI 领域对存储芯片的爆发式需求。

据美光透露，该工厂将重点生产HBM等核心芯片，这类产品是英伟达等企业AI处理器的关键配套器件。根据美光方面的规划，新产线计划于2028年夏季前后正式对外供货。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在仪式上表示，美光首片HBM生产晶圆正是在广岛诞生的。他还强调：“当美国的魄力与日本的匠心相遇，你得到的不是妥协，而是世界之最。”

日本经济产业省已为该扩建项目拨付最高5000亿日元（现汇率约合210.38亿元人民币）的补贴支持。日本经济产业大臣赤泽亮正出席奠基仪式时表示，美光作为日本境内唯一的DRAM制造商，其价值不可估量。他同时表态，若有其他海外芯片制造商希望在日本建厂，日本政府将“尽其所能”提供支持。

公开资料显示，美光在广岛的布局可追溯至2013年——该公司收购了当时已破产的日本DRAM制造商尔必达（Elpida Memory），从而获得了这座位于广岛的工厂。如今，广岛工厂所需的芯片材料中约有80%来自日本本土供应商。

美光此次日本扩产是其全球产能布局的一部分。该公司正在美国爱达荷州博伊西建设两座尖端晶圆厂，并于今年1月为纽约州锡拉丘兹郊外一处1000亿美元（现汇率约合6790.71亿元人民币）的生产基地举行了奠基仪式，以兑现其在美国本土增加DRAM产能的承诺。与此同时，韩国SK海力士和三星电子也在积极扩充制造产能。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储行业预计在2027年将面临史上最严重的供应短缺。然而尽管该公司正在大力扩产，但预测未来十年内，存储需求仍将长期超过其生产能力。上述机构强调，存储巨头扩产计划受制于设备供给瓶颈，迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。依托技术进步、交付高效、成本优势，国内半导体设备企业迎来海外验证与订单落地提速契机，有望出海打开增量空间。

对于全球存储芯片的未来发展趋势，开源证券表示，AI基建驱动全球半导体开启多年扩产周期，预计2026年全球IDM与代工厂资本开支达2720亿美元，2024-2030年存储赛道复合增速达15.7%；其中全球先进封装规划投资规模达1250亿美元，存储头部厂商扩产增速领跑，下游需求具备长期持续性。

据存储资深产业人士称，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至更高。

据介绍，涨价核心源于两大生产原因：一方面，HBM4工艺制造难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；另一方面，生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线产能释放空间被大幅压缩。

当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。DigiTimes预判，2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商难以拿到供货份额。

与此同时，供应链有消息透露，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满，未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将遭遇严重内存断供危机。

近日，有个知名终端预测存储涨价超级夸张。在近日举行的ISC 2026行业大会上，联想发布市场研判称，受供需失衡持续影响，DRAM、NAND等存储芯片价格高位运行或将演变为长期常态。

预计至2030年及以后，高价局面仍难以逆转，芯片价格大概率无法回落至2025年初的低位水平。

今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。

近期的存储芯片价格预测方面，多数的机构预测三季度存储芯片涨价是大概率事件，而且未来的增量预期还很大。AI带来的存储芯片需求增长巨大，这次超级涨价持续时间或许超预期，未来想象空间很大。

多家机构也发表报告预计存储芯片价格将继续上涨。据TrendForce（集邦咨询）最新报告，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，预计合约价将季增13%—18%；NAND Flash方面，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。此外，瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调了存储芯片价格预期，称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。