北京
国家知识产权局信息显示，湖南融创微电子股份有限公司申请一项名为“5T非易失随机存储单元、存储器及数据存储方法”的专利，公开号CN122369529A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及数据存储技术领域，提供一种8.5T非易失随机存储单元、存储器及数据存储方法，通过一个隔离管连接到6T的SRAM存储单元组合成NVSRAM单元，所使用到的晶体管数量少，芯片面积小，单元存储密度高，NVSRAM单元的数据召回过程无需进行SRAM单元的掉电、数据节点的放电及SRAM单元的再上电过程，只需在所有SRAM单元的数据节点QB写入数据0，数据节点Q写入数据1后打开隔离管将FLASH单元中的数据写入到SRAM单元，即可完成召回过程，召回方式简单高效，便于简化相关外围电路设计，有效降低了NVSRAM的芯片生产成本。
天眼查资料显示，湖南融创微电子股份有限公司，成立于2014年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2696.2077万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南融创微电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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