北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN122373353A，申请日期为2022年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括形成有多个沟道结构的核心区；半导体层，沿堆叠结构的堆叠方向位于堆叠结构的一侧，沟道结构延伸至半导体层，且半导体层和沟道结构在平行于堆叠方向的平面中的投影不重叠；第一绝缘层，至少位于半导体层远离堆叠结构的第一表面；第一引出部，沿堆叠方向贯穿第一绝缘层与核心区对应的部分，并与半导体层接触。本申请中半导体器件的第一引出部不仅可以形成于第一绝缘层与核心区对应的任意位置，不再受限于与栅线缝隙结构对应的位置，从而减小了工艺难度，而且还可以直接采用铝形成，进而省去了形成第一连接部的工艺，从而降低了引线工艺的复杂度和成本。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1453次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6140条，此外企业还拥有行政许可1009个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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