北京
国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构、形成方法及集成电路结构”的专利，公开号CN122373430A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体结构、形成方法及集成电路结构，方法包括：提供形成有电极结构的第一基底，其中，电极结构具有疏水性，电极结构暴露的第一基底具有亲水性；提供聚合物溶液，聚合物溶液用于在第一基底上形成特定结构；提供包括第一表面和凸立于所述第一表面的多个相互间隔的墙体的第二基底，墙体的顶面具有亲水性，墙体的侧壁，以及墙体暴露的第一表面具有疏水性；将聚合物溶液滴在墙体的顶面，并将第一基底放置至第二基底上，得到初始半导体结构；其中，第一基底具有电极结构的一面朝向第二基底，且电极结构的延伸方向与墙体的延伸方向垂直；固化聚合物溶液；去除初始半导体结构中的第二基底，得到目标半导体结构。本公开实施例提高了器件的性能。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息671条，此外企业还拥有行政许可126个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
