北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN122373350A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括：堆叠结构、第一连接结构、第一隔离层、第二连接结构以及第二隔离层。第一连接结构在堆叠结构中沿堆叠方向延伸，并包括在堆叠方向上连接的第一延伸部和第二延伸部。第一延伸部沿堆叠方向延伸，第二延伸部沿与堆叠方向相交的方向延伸。第一隔离层环绕第一延伸部。第二连接结构在堆叠结构中沿堆叠方向延伸，并包括在堆叠方向上连接的第三延伸部和第四延伸部。第三延伸部沿堆叠方向延伸，第四延伸部沿与堆叠方向相交的方向延伸。第二隔离层环绕第三延伸部。第一延伸部在堆叠方向上的尺寸小于第三延伸部在堆叠方向上的尺寸。第二延伸部与第二隔离层接触。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1453次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6140条，此外企业还拥有行政许可1009个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
