北京
国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种减缓中压SGT-MOSFET晶圆翘曲的版图结构”的专利，公开号CN122373458A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开一种减缓中压SGT‑MOSFET晶圆翘曲的版图结构，涉及半导体芯片制造的技术领域，包括：外围截止环、第一器件单元、第二器件单元和第三器件单元，每个器件单元的外围均设有独立的截止环，独立的截止环与外围截止环部分重合，以将外围截止环依次分为第一区域、第二区域和第三区域；第一器件单元、第二器件单元和第三器件单元的漏极均连接至晶圆衬底、栅极并联，且场板电极均连接到源电极；第一器件单元、第二器件单元的场板电极分区跨单元与源电极连接；第一器件单元、第三器件单元的沟槽延伸方向与第二器件单元的沟槽延伸方向垂直。本发明有效解决了大尺寸中压SGT-MOSFET器件在制造过程中因结构应力累积及刚性减弱引起的晶圆翘曲问题。
天眼查资料显示，华羿微电子股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41509.5832万人民币。通过天眼查大数据分析，华羿微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可33个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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