北京
国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种面向大功率脉冲器件的GaN梯度掺杂抑漏外延方法”的专利，公开号CN122373423A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种面向大功率脉冲器件的GaN梯度掺杂抑漏外延方法，涉及半导体制造技术领域，包括：在衬底上外延生长低掺杂氮化镓缓冲层；在此之上生长掺杂浓度自下而上连续递增的梯度过渡层；协同外延生长主抑漏层及位于其顶部的应力缓释带；随后进行终端适配层与侧壁终止区的成层，从而形成边缘封边结构；最后对结构进行脉冲工况下的稳态化热处理与抑漏能力验证。本发明通过梯度过渡层分散垂直电场，利用应力缓释带吸收累积应力，并通过边缘封边结构管理边缘场强，有效抑制了反复脉冲下的区域性材料疲劳与击穿路径形成，显著提升了大功率脉冲器件的服役寿命与可靠性。
天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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