北京
国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN122373559A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，通过在P型AlGaN电子阻挡层生长过程中全程引入Zn源作为表面活化剂，构建了Zn浓度沿P型AlGaN电子阻挡层方向呈梯度分布的P型AlGaN电子阻挡层结构，具体的，通过Zn表面活化剂的核心作用与Zn浓度梯度分布的创新设计，在保证导带Ec平滑上升、强电子阻挡能力无损失的前提下，实现了价带Ev全程平滑无尖峰、空穴注入全程畅通。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1690条，此外企业还拥有行政许可62个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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