北京
国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“外延结构和半导体器件”的专利，公开号CN122373399A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种外延结构和采用所述外延结构的半导体器件。所述外延结构例如包括半导体衬底、缓冲层和异质外延叠层；所述缓冲层设置在所述半导体衬底上、且包括在第一方向上交替排列的高铝含量区域和低铝含量区域，所述高铝含量区域为第一掺杂剂浓度区、且所述低铝含量区域为第二掺杂剂浓度区，从而所述第一掺杂剂浓度区与所述第二掺杂剂浓度区在所述第一方向上交替排列；以及所述异质外延叠层设置在所述缓冲层的背离所述半导体衬底的一侧、且用于通过构造二维电子气提供导电通道，所述异质外延叠层包括氮化镓通道层和势垒层。本发明实施例的外延结构可以具备较佳的应力控制和高阻值，相应地半导体器件可以具有漏电流小、耐压高等器件性能。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次，专利信息454条，此外企业还拥有行政许可149个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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