北京
国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN122373401A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体器件，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的沟道层；位于所述沟道层上的势垒层，在所述势垒层和所述沟道层之间形成二维电子气；位于所述势垒层上的层间介质层；欧姆电极，从所述层间介质层延伸至所述二维电子气下方，所述欧姆电极包括位于所述层间介质层上方的第一部分和位于所述层间介质层上表面之下的第二部分，其中，所述欧姆电极的第二部分被配置为使得其至少两个侧壁与所述二维电子气接触，且与所述二维电子气的接触边长大于所述二维电子气在垂直于沟道长度方向上的宽度。
天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10857万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息885条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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