北京
国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“一种高散热封装结构及半导体器件”的专利，授权公告号CN224482054U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本申请提供一种高散热封装结构及半导体器件，涉及半导体加工技术领域。该高散热封装结构包括：基板、设置在基板上的晶粒和散热片，晶粒的第一表面连接在基板上、与第一表面相对的第二表面设有多个凹槽，散热片覆盖在凹槽上。该高散热封装结构在晶粒的第二表面加工了多个凹槽，多个凹槽使第二表面呈现凹凸不平的粗糙化状态，当散热片熔化为液态金属时，液态金属会填充凹槽，液态金属凝固后增加了散热片与晶粒之间的接触面积，并在两者之间形成了机械互锁结构，从而提高了散热效率，并显著增强了散热片与晶粒之间的结合力。同时，粗糙的第二表面能够增强毛细作用，促进液态金属向凹槽内填充，抑制其横向扩散，从而减少液态金属的飞溅。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息279条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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