北京
国产存储大型IPO时间表敲定！长鑫科技披露科创板上市招股意向书及《发行安排及初步询价公告》，正式启动科创板IPO发行程序。据公告，公司新股网下申购日和网上申购日均为2026年7月16日。
具体看，初步询价日为2026 年 7 月 13 日，发行公告将于 7 月 15 日刊登，网上申购时间为 7 月 16 日 9:30 至 11:30 及 13:00 至 15:00，网下缴款及网上缴款截止日均为 7 月 20 日。
长鑫科技的证券代码及网下申购代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。本次拟初始公开发行66.88亿股，占公司发行后总股本的比例约10%（超额配售选择权行使前），初始战略配售发行33.44亿股，占本次发行数量的50.00%。
对于想要参与长鑫打新的投资者而言，一则需有科创板投资权限，二则中签机会宝贵。
据Wind数据，目前半导体设备ETF招商（561980）跟踪的中证半导体产业指数，“长鑫存储”概念含量高近60%，中微公司、北方华创、拓荆科技等多家权重股在长鑫供应链中处于核心卡位，有望受益此次IPO对板块带来的提振作用。
国联民生指出，AI需求驱动下全球半导体行业景气度持续上行，存储产业链通胀与扩产共振，长鑫科技IPO或推动国内Capex新周期。市场层面，Capex传导决定产业链弹性排序。
长鑫扩产资本开支或将沿产线建设节奏逐级传导，分为三个阶段：第一阶段启动前道设备招标采购，刻蚀、薄膜沉积等核心设备有望率先受益；第二阶段订单向上游零部件传导，带动腔体、真空、射频等环节需求；第三阶段产线爬坡后材料耗材需求持续放量。
01 设备先行：扩产周期最先受益
设备是扩产链条中最先受益的环节，订单随项目招标提前落地。结合单机价值量、国产化基础与客户验证进度排序，刻蚀、薄膜沉积为第一核心梯队，受益于新增产能与技术升级双重拉动，订单延续性强；CMP、清洗为第二梯队；涂胶显影、量测等环节国产化率低，实现突破后弹性更大。
02 材料后发：投片放量带来持续需求
全球半导体材料市场规模稳步增长，存储厂产能扩张将持续带动材料需求提升。国内各细分品类国产化进度分化，湿电子化学品推进较快，高端光刻胶、先进制程特气等仍高度依赖进口。当前本土龙头已在硅片、特气、CMP材料等领域实现突破，随长鑫等产线投片放量，材料环节有望迎来后周期业绩兑现。
中证指数官网显示，半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，全面覆盖中微公司、北方华创、拓荆科技等设备和沪硅产业、南大光电、中船特气等材料龙头（80%），以及寒武纪、海光信息、中芯国际等CPU/GPU和晶圆制造龙头（20%），“长鑫存储”概念含量近60%，同时前十大集中度近80%为同类最高。
指数表现方面，截至7月8日，中证半导年内涨幅近110%，2020年以来累计涨幅594%在科创芯片（398%）、半导体材料设备（447%）等同类指数中位居第一，中长期弹性更高。
国联民生认为，后续可围绕“存储扩产+国产替代”主线布局。AI算力需求抬升推升存储行业景气度，三星、SK海力士、美光三大海外原厂集体大幅上调资本开支，加码HBM、先进制程与新产线建设，开启全球存储扩产周期。
根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。
近年来，国产DRAM厂商里长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。本次长鑫科技借科创板IPO拟募295亿元启动大规模扩产，或可把握长鑫IPO落地后的产能建设节奏。
风险提示：基金有风险，投资需谨慎。
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