北京
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国家知识产权局信息显示，星科金朋私人有限公司申请一项名为“形成具有较少背面划痕的半导体管芯的半导体器件和方法”的专利，公开号CN122349373A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，形成具有较少背面划痕的半导体管芯的半导体器件和方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片具有形成在半导体晶片中的第一沟道和形成在第一沟道内的第二沟道，以将半导体晶片单体化成多个半导体管芯。第一沟道和第二沟道形成具有基底和从基底延伸的杆的T形半导体管芯。杆的宽度小于T形半导体管芯的基底的宽度。将半导体管芯设置在载体上方来作为重构的半导体晶片。密封剂沉积在重构的半导体晶片上方。移除密封剂的第一部分以暴露杆，并且移除重构的半导体晶片的一部分以减小半导体管芯的厚度。在移除重构半导体晶片的所述部分之后，重构半导体晶片的厚度小于100微米。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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