北京
国家知识产权局信息显示，华秦（广东横琴）先进技术研究有限公司申请一项名为“一种嵌入式封装凹槽的硅刻蚀成形方法”的专利，公开号CN122349319A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种嵌入式封装凹槽的硅刻蚀成形方法；一种嵌入式封装凹槽的硅刻蚀成形方法，以图形化硅片为基底、四甲基氢氧化铵为刻蚀介质，使用pH响应的三嵌段共聚物作为形貌编程分子，通过共价键合选择性锚定于光刻胶开口边缘的硅表面，利用刻蚀液pH调控分子构象，实现凹槽侧壁角度的原位连续可调，并通过pH切换脱附与RCA清洗实现分子回收与残留去除，完成嵌入式封装凹槽的可编程刻蚀成形；本发明通过共价锚定和pH调控分子构象实现凹槽侧壁角度60‑90°原位连续可调，结合全链条闭环工艺，解决了传统刻蚀侧壁角度固定、化学品消耗高和有机残留难以控制的难题，为先进封装嵌入式凹槽刻蚀提供了高精度、可编程的解决方案。
天眼查资料显示，华秦（广东横琴）先进技术研究有限公司，成立于2024年，位于珠海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，华秦（广东横琴）先进技术研究有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息1条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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