北京
国家知识产权局信息显示，青岛联智光通信技术有限公司申请一项名为“一种激光芯片的制备方法及激光芯片”的专利，公开号CN122338538A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开提供的激光芯片制备方法及激光芯片，激光芯片包括发光区与电吸收调制区。P-InP层包括第一区域、第二区域及第三区域，第二有源区位于第三区域的下方。第一区域与第二区域暴露于注入离子束中从而形成第一电隔离区与第二电隔离区。第三区域受到掩模保护仍保持导电性，形成第一P-InP本体层。进行离子注入时第一金属层与第二金属层作为第一P-InP本体层的掩模，拦截离子注入，使离子无法深入到第一P-InP本体层内部，从而保持第一P-InP本体层导电性。第一金属层与第二金属层线宽较窄，减小第一P-InP本体层离子注入宽度，从而得到线宽更窄的第一P-InP本体层，有利于提高电吸收调制区调制速率与调制带宽。
天眼查资料显示，青岛联智光通信技术有限公司，成立于2025年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本38000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛联智光通信技术有限公司专利信息51条，此外企业还拥有行政许可1个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
