北京
国家知识产权局信息显示，北京大学重庆碳基集成电路研究院;重庆碳基集成电路有限公司申请一项名为“光敏器件及成像设备”的专利，公开号CN122340920A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本公开提供了一种光敏器件及成像设备。本公开的光敏器件，包括：硅衬底层；绝缘材料体，设置在硅衬底层上；光敏材料层，设置在绝缘材料体上，光敏材料层被光激发时产生光生载流子；金属源极、金属漏极和金属栅极，均设置在绝缘材料体中；金属栅介质层和沟道层，金属栅介质层覆盖设置在金属栅极上，沟道层覆盖设置在金属栅介质层上；金属源极和金属漏极间隔设置在沟道层远离金属栅极的一侧；金属源极和金属漏极之间的间隔内填充有光敏材料填充部，光敏材料填充部与光敏材料层为一体结构；光敏栅介质层和载流子收集层，光敏栅介质层覆盖设置在沟道层上，载流子收集层覆盖设置在光敏栅介质层上；载流子收集层用于收集光生载流子，光敏栅介质层用于保障光敏材料填充部与沟道层互不干扰的实现各自功能，并将光敏材料填充部和沟道层结合构成完整光电晶体管。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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