北京
国家知识产权局信息显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司;屹唐半导体科技（北京）有限责任公司申请一项名为“用于等离子体源的上进气盖板及等离子体处理设备”的专利，公开号CN122337975A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种用于等离子体源的上进气盖板及等离子体处理设备，其中，该上进气盖板包括：盖板基座，其底部设有向下方延伸的环形凸台，盖板基座内设有上层循环水道，环形凸台内设有下层循环水道；上层水道封板，覆盖盖板基座上表面并封闭上层循环水道；下层水道环形封板，覆盖盖板基座下表面边缘并封闭下层循环水道；进水口和出水口，均设置在盖板基座侧壁并分别与上层循环水道的一端连通。本公开实施例的技术方案可以通过双层流道的空间排布，实现对盖板底部环形凸台区域及密封结构的优先冷却，有效降低了盖板密封圈所在环境的温度，避免了因高温导致的密封失效及盖板热变形，提升了等离子体处理设备运行的稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本295556万人民币。通过天眼查大数据分析，北京屹唐半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目180次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息262条，此外企业还拥有行政许可95个。
屹唐半导体科技（北京）有限责任公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，屹唐半导体科技（北京）有限责任公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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