北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括氢感测结构的半导体器件”的专利，公开号CN122340807A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，一种半导体器件包括：集成电路结构，其设置在衬底上方；和氢感测结构，其设置在所述衬底上方以与所述集成电路结构横向间隔开。所述集成电路结构包括氧化物半导体层。所述氢感测结构包括：氢离子感测层，其包含电阻变化材料；和第一感测电极层和第二感测电极层，其设置在所述氢离子感测层的相对端。基于所述衬底的表面，所述氢离子感测层的底表面和顶表面被布置为分别具有与所述氧化物半导体层的底表面和顶表面相同的水平。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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